.:ППЗУ (программируемые ПЗУ):.
Принцип действия ячейки ППЗУ основан на физических процессах, позволяющих необратимо изменить электрическое сопротивление двухполюсника. По принципу
действия различают два типа однократно программируемых запоминающих элементов (ЗЭ): резисторный и диодный, в которых программирование осуществляется
соответственно пережиганием плавких перемычек и пробоем p-n-переходов.

Бит информации, хранящийся в ЗЭ резисторного типа, определяется наличием или отсутствием плавкой перемычки. В режиме считывания на ЗЭ подают
напряжение и хранимое значение бита определяют по значению тока, протекающего через перемычку. В состоянии после изготовления ЗЭ хранит 1
(сопротивление перемычки мало), а после пережигания плавкой перемычки 0. В качестве плавких перемычек широко применяют тонкие плёнки из нихрома
или поликристаллического кремния. Сопротивление перемычки составляет около 10 Ом. В результате программирования через перемычку пропускают импульс
тока, плотностью около 107 А/см2, в результате чего она необратимо разрушается. Вследствие малых размеров перемычки и большой энергии, выделяемой
при пережигании, физические процессы в плёнке достаточно сложны.

Работа ЗЭ диодного типа основана на необратимых явлениях, происходящих при пробое обратносмещенного p-n-перехода. В исходном состоянии ЗЭ диодного типа
хранит 0, а его обратное сопротивление очень велико. При программировании к диоду прикладывается запирающее напряжение повышенного уровня, под
действием которого p-n-переход пробивается, т.е. происходит короткое замыкание (состояние логической 1).